RDW系列平面硅探测器

钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）采用先进的半导体制程工艺制造，通过光刻技术精确确定几何外形，离子注入工艺精确控制掺杂深度分布，具有低漏电流和极薄死层厚度特性，平面硅探测器可用于 α、β和质子等带电粒子探测。
与硅表面位垒探测器（SSB）相比，其结构边沿埋置于芯片内部，而非使用环氧树脂密封，使其漏电流更小；离子注入技术能获得更薄的入射死层厚度，有利于提高探测分辨率，同时钝化工艺可形成坚固、可靠的接触极。

产品特点:

◆ 最高偏置电压可达 150V
◆ 标准探测器可烘烤至 120℃
◆ 超薄的入射窗口，具有极低死层
◆ 采用表面钝化工艺，具有低漏电流和高稳定性
◆ 采用离子注入工艺，具有低噪声、高能量分辨率
◆ 采用镀金金属外壳封装，具有良好的抗干扰性能
◆ 接口适配SMA/Microdot，具有良好的兼容性

性能参数:

1. 工作温度范围：-40℃~50℃
2. 推荐偏置电压范围：6V-70V
3. 探测器有效面积范围：120-2800mm²