应用领域
◆ 环境氡检测
◆ 带电粒子探测
◆ 核科学与技术
◆ 辐射防护与监测
平面硅探测器采用先进的半导体制程工艺制造,通过光刻技术精确确定几何外形,离子注入工艺精确控制掺杂深度分布,具有低漏电流和极薄死层厚度特性,平面硅探测器可用于 α、β和质子等带电粒子探测。
◆ 标准探测器可烘烤至 120℃
◆ 入射窗铝窗坚固耐用,方便清洗擦拭
◆ 采用表面钝化工艺,具有低漏电流和高稳定性
1. 工作温度范围:-40℃~50℃
2. 推荐偏置电压范围:6V-70V
3. 探测器有效面积范围:13-400mm2
有效面积(mm2) | 分辨率keV(FWHM)
α β |
产品型号 |
---|---|---|
13 | 17 12 | BC-SDW-13-T |
25 | 17 12 | BC-SDW-25-T |
36 | 17 12 | BC-SDW-36-T |
42 | 17 12 | BC-SDW-42-T |
49 | 17 12 | BC-SDW-49-T |
100 | 17 12 | BC-SDW-100-T |
113 | 17 12 | BC-SDW-113-T |
200 | 18 14 | BC-SDW-200-T |
400 | 19 14 | BC-SDW-400-T |